技术指标：

分辨率:

    高真空(二次电子3.0nm at 30kv，8.0nm at 3kv)

    低真空(低真空二次电子)﹕3.5 nm at 30 kV

放大倍数:2.5 to 1000000×

真空系统:高真空<9*10 -3Pa，

加速电压0.2kV to 30Kv

电子束电流1pA—2uA

样品室内部尺寸:230mm(width)×148mm(depth)

样品台:全自动控制 

主要功能：

金属、非金属、生物等各种样品的微观形貌分析，微区物质成分分析，化学元素衬度像、晶粒取向衬度像分析等

联系人：

黄天林  覃丽禄    电话：023-65106001地址： 重庆大学综合实验大楼115室